ข้อมูล IR
ภาพรวมของส่วนต่างๆ ของเซมิคอนดักเตอร์ รายงาน Fuji Electric ประจำปี 2025
เราจะมุ่งมั่นขยายธุรกิจในระยะกลางถึงระยะยาวโดยมีส่วนสนับสนุนด้านการใช้ไฟฟ้าในยานยนต์ การลดขนาดอุปกรณ์ การประหยัดพลังงาน และลดการปล่อยก๊าซ CO2
ผู้จัดการทั่วไปองค์กร กลุ่มธุรกิจเซมิคอนดักเตอร์
โทรุ โฮเซ็น
แนวโน้มตลาดและโอกาสทางธุรกิจ
เซมิคอนดักเตอร์กำลังไฟฟ้าซึ่งมีส่วนช่วยในการประหยัดพลังงานผ่านประสิทธิภาพการแปลงสูงและการควบคุมพลังงาน กำลังประสบกับความต้องการที่เพิ่มขึ้นทั่วโลก เนื่องด้วยมาตรการด้านสิ่งแวดล้อมสำหรับการลดคาร์บอนและการลงทุนที่เพิ่มขึ้นในระบบอัตโนมัติภายในอุตสาหกรรมการผลิต
ภาพรวมผลลัพธ์
แนวโน้มผลประกอบการทางธุรกิจ (พันล้านเยน)
ในปีงบประมาณ 2567 แม้ว่าความต้องการรถยนต์ไฟฟ้า xEV ในต่างประเทศและการใช้งานที่เกี่ยวข้องกับ FA ในญี่ปุ่นจะชะลอตัว แต่ยอดขายสุทธิเพิ่มขึ้น 8.8 พันล้านเยนเมื่อเทียบเป็นรายปี เป็น 236.8 พันล้านเยน เป็นผลมาจากความต้องการรถยนต์ไฟฟ้า xEV ที่เพิ่มขึ้นในญี่ปุ่นและพลังงานหมุนเวียนในต่างประเทศ รวมถึงการปรับราคาขาย กำไรจากการดำเนินงานเพิ่มขึ้น 0.9 พันล้านเยนเมื่อเทียบเป็นรายปี เป็น 37.1 พันล้านเยน ซึ่งเป็นผลมาจากยอดขายสุทธิและการปรับราคาขายที่เพิ่มขึ้น แม้จะมีปัจจัยต่างๆ เช่น ต้นทุนที่เพิ่มขึ้นจากการขยายกำลังการผลิตและผลกระทบจากราคาวัตถุดิบที่สูง
ในปีงบประมาณ 2568 แม้ว่าความต้องการพลังงานหมุนเวียนจะยังคงแข็งแกร่ง และคาดว่าการใช้งานที่เกี่ยวข้องกับ FA จะฟื้นตัวในระดับปานกลาง แต่เราคาดการณ์ว่ายอดขายสุทธิจะลดลง 13.8 พันล้านเยน เหลือ 223.0 พันล้านเยน เมื่อเทียบกับปีก่อนหน้า เนื่องจากปริมาณการขายรถยนต์ไฟฟ้าขนาดเล็ก (xEV) ที่ลดลง เราคาดการณ์ว่ากำไรจากการดำเนินงานจะลดลง 15.6 พันล้านเยน เหลือ 21.5 พันล้านเยน เมื่อเทียบกับปีก่อนหน้า โดยมีอัตราส่วนกำไรจากการดำเนินงานอยู่ที่ 9.6% เนื่องจากปริมาณการขายที่ลดลง ราคาวัตถุดิบที่สูง ต้นทุนคงที่ที่เพิ่มขึ้น และผลกระทบจากการปรับราคาขายในปีงบประมาณ 2567
มาตรการเร่งด่วน
การได้รับชัยชนะในการออกแบบใหม่สำหรับ xEV และการขยายการขาย IGBT และ SiC
เรากำลังดำเนินการพัฒนาผลิตภัณฑ์โมดูลเซมิคอนดักเตอร์กำลังไฟฟ้าที่มีขนาดกะทัดรัดยิ่งขึ้น มีการสูญเสียที่เกิดขึ้นต่ำ และมีความน่าเชื่อถือสูง เพื่อมีส่วนช่วยในการปรับปรุงระยะการขับขี่ รักษาพื้นที่ภายใน และลดน้ำหนัก
เราได้พัฒนาโมดูล RC-IGBT ขนาดกะทัดรัดที่มีขนาดเล็กกว่าผลิตภัณฑ์ทั่วไปถึง 54% โดยใช้ RC-IGBT*1 ที่ใช้ Si ซึ่งเราพัฒนาเหนือกว่าคู่แข่ง สำหรับผลิตภัณฑ์ SiC เราได้พัฒนาโมดูล SiC รุ่นใหม่ที่มีขนาดเล็กกว่าผลิตภัณฑ์ทั่วไปถึง 49% โดยใช้เทคโนโลยีการเดินสายแบบสามมิติ ซึ่งช่วยลดความเหนี่ยวนำภายในของโมดูล*2 และลดการสูญเสียลงได้อย่างมาก เรามีแผนที่จะเริ่มการผลิตโมดูล RC-IGBT ขนาดกะทัดรัดจำนวนมากในปีงบประมาณ 2568 และโมดูล SiC ในปีงบประมาณ 2569
เราจะมุ่งเน้นที่ผลิตภัณฑ์ใหม่ที่สามารถแข่งขันได้เหล่านี้ โดยผลักดันการนำไปใช้ในการออกแบบของลูกค้าและสร้างฐานลูกค้าใหม่ ซึ่งจะช่วยลดขนาดและลดต้นทุนอุปกรณ์ของลูกค้า
-
※1 อาร์ซี-ไอจีบีที
-
ผลิตภัณฑ์ที่ลดการสูญเสียและลดขนาดได้อย่างมีนัยสำคัญโดยการจัดเรียงเซมิคอนดักเตอร์สองประเภทที่มีฟังก์ชันต่างกัน (IGBT และไดโอดแบบอิสระ) สลับกันเป็นเส้นตรงบนชิปตัวเดียวและทำงานร่วมกัน
-
※2
-
ค่าที่สูงขึ้นตรงนี้จะเพิ่มการสูญเสียการสลับและสัญญาณรบกวน
ผลิตภัณฑ์ใหม่สำหรับ xEVs
-
*
-
การเปรียบเทียบโดยอิงจากค่าพิกัดที่เทียบเท่า เนื่องจากกระแสไฟฟ้าที่กำหนดแตกต่างจากผลิตภัณฑ์ทั่วไปการเปรียบเทียบจะขึ้นอยู่กับค่าการแปลงเอาท์พุตของโมดูลที่มีประสิทธิภาพ
ขยายการขายโดยเฉพาะอย่างยิ่งในด้านพลังงานหมุนเวียน
ในอุตสาหกรรมพลังงานหมุนเวียน มีความต้องการผลิตภัณฑ์ที่มีแรงดันไฟฟ้าสูงขึ้นเพื่อเพิ่มกำลังการผลิตไฟฟ้า เพิ่มความน่าเชื่อถือเพื่อให้มั่นใจถึงเสถียรภาพในการจ่ายไฟฟ้า และเพิ่มประสิทธิภาพในการผลิตอุปกรณ์ให้มีขนาดเล็กลงและน้ำหนักเบาลง เรากำลังขยายกลุ่มผลิตภัณฑ์โมดูล IGBT และ SiC ที่ตอบสนองความต้องการเหล่านี้ และกำลังขยายยอดขาย
เรากำลังพัฒนาผลิตภัณฑ์รุ่นใหม่สำหรับภาคอุตสาหกรรม โมดูล IGBT รุ่นที่ 8 จะช่วยลดขนาดชิปโดยลดการสูญเสียที่เกิดขึ้นลง 15% หรือมากกว่า เมื่อเทียบกับโมดูล IGBT รุ่นที่ 7 ซึ่งเป็นโมดูลหลักในปัจจุบันของเรา นอกจากนี้ เราจะสามารถลดต้นทุนได้อย่างมีนัยสำคัญผ่านโครงการริเริ่มต่างๆ เช่น การใช้โครงสร้างแบบร่วมกันและมาตรฐาน
กลุ่มผลิตภัณฑ์สำหรับสาขาพลังงานหมุนเวียน
เสริมสร้างกำลังการผลิตและเริ่มการผลิตผลิตภัณฑ์ใหม่จำนวนมากเพื่อตอบสนองความต้องการ
ขณะเดียวกันก็ควบคุมอัตราการขยายกำลังการผลิตให้สอดคล้องกับสภาพแวดล้อมความต้องการในปัจจุบัน เราจะยังคงลงทุนในโรงงานและอุปกรณ์เพื่อรองรับการเติบโตของความต้องการในอนาคตและการขยายธุรกิจต่อไป
สำหรับกระบวนการผลิตชิป SiC (ส่วนหน้า) เราได้เริ่มการผลิตแบบเต็มรูปแบบจำนวนมากของอุปกรณ์ขนาด 6 นิ้วที่บริษัท Fuji Electric Tsugaru Semiconductor Co., Ltd. ในเดือนธันวาคม 2024 ในปีงบประมาณ 2025 เราจะเสริมกำลังการผลิตให้แข็งแกร่งขึ้น 2.5 เท่าเมื่อเทียบเป็นรายปี และดำเนินการก่อสร้างสายนำร่องขนาด 8 นิ้วที่โรงงาน Matsumoto
สำหรับกระบวนการผลิตชิป Si (ส่วนหน้า) เราจะเริ่มการผลิต IGBT รุ่นที่ 8 จำนวนมากตามลำดับตั้งแต่ปลายปีงบประมาณ 2025
สำหรับกระบวนการประกอบ (แบ็คเอนด์) เราจะเริ่มการผลิตจำนวนมากของผลิตภัณฑ์ใหม่ รวมถึงโมดูล RC-IGBT ขนาดกะทัดรัดสำหรับ xEV และโมดูล IGBT รุ่นที่ 7 สำหรับพลังงานหมุนเวียนในปีงบประมาณ 2025
การลงทุนด้านโรงงานและอุปกรณ์และค่าใช้จ่ายด้านการวิจัยและพัฒนา
การลงทุนในโรงงานและอุปกรณ์
(พันล้านเยน)
(พันล้านเยน)
ค่าใช้จ่ายด้านการวิจัยและพัฒนา
(พันล้านเยน)
(พันล้านเยน)
-
-
* ตัวเลขค่าใช้จ่ายด้าน R&D จำแนกตามกลุ่มตามธีม ดังนั้นจึงแตกต่างจากตัวเลขที่ระบุไว้ในรายงานทางการเงินรวม
แผนการลงทุนในโรงงานและอุปกรณ์สำคัญ
-
เสริมกำลังการผลิตอุปกรณ์ SiC ขนาด 6 นิ้ว (กระบวนการด้านหน้า)
-
สายนำร่อง SiC 8 นิ้ว
-
เสริมสร้างกำลังการผลิตโมดูลสำหรับ xEV และภาคอุตสาหกรรม
แผนการวิจัยและพัฒนาที่สำคัญ
-
ส่งเสริมการพัฒนาผลิตภัณฑ์ใหม่ เช่น SiC-MOSFET รุ่นที่ 3 และ IGBT รุ่นที่ 8
-
เสริมสร้างการพัฒนาเทคโนโลยี SiC 8 นิ้ว
