产品信息(半导体)
SiC器件
产品一览
特长
搭载SiC-SBD的IGBT混合模块X系列/V系列
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适用高性能芯片
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低损耗的X系列/V系列IGBT
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低损耗的SiC-SBD
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兼容旧款Si-IGBT模块产品封装
All-SiC模块
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通过采用最新的沟槽型MOSFET大幅降低损耗
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兼容旧款Si-IGBT模块产品封装
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封装的低电感化
SiC肖特基势垒二极管
SiC-SBD 2G系列
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高速开关损耗特性
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低VF特性:与以往相比(与1G相比) VP约降低15%(650V产品)
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低IR特性
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高正向浪涌耐量:与以往相比(与1G相比)IFSM约提高60%
SiC-SBD 1G Series
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高速开关损耗特性
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低VF特性
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低IR特性
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高反向浪涌耐量