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SiC器件

SiC器件具有出色的特性,能够实现高耐压、低功耗、高频动作和高温动作。使用SiC的功率半导体能够实现大幅节能和安装产品的小型化、轻量化。
SiC器件

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特长

搭载SiC-SBD的IGBT混合模块X系列/V系列

IGBT混合型SiC模块的新产品信息

  • 适用高性能芯片
    ー低损耗的X系列/V系列IGBT
    ー低损耗的SiC-SBD
  • 兼容旧款Si-IGBT模块产品封装

All-SiC模块

  • 通过采用最新的沟槽型MOSFET大幅降低损耗
  • 兼容旧款Si-IGBT模块产品封装
  • 封装的低电感化

SiC肖特基势垒二极管

SiC-SBD 2G系列

  • 高速开关损耗特性
  • 低VF特性:与以往相比(与1G相比) VP约降低15%(650V产品)
  • 低IR特性
  • 高正向浪涌耐量:与以往相比(与1G相比)IFSM约提高60%

SiC-SBD 1G Series

  • 高速开关损耗特性
  • 低VF特性
  • 低IR特性
  • 高反向浪涌耐量
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