产品信息(半导体)
SiC器件

SiC器件
SiC器件具有出色的特性,能够实现高耐压、低功耗、高频动作和高温动作。使用SiC的功率半导体能够实现大幅节能和安装产品的小型化、轻量化。

产品一览

特长

搭载SiC-SBD的IGBT混合模块X系列/V系列

  • 适用高性能芯片

    • 低损耗的X系列/V系列IGBT

    • 低损耗的SiC-SBD

  • 兼容旧款Si-IGBT模块产品封装

All-SiC模块

  • 通过采用最新的沟槽型MOSFET大幅降低损耗

  • 兼容旧款Si-IGBT模块产品封装

  • 封装的低电感化

SiC肖特基势垒二极管

SiC-SBD 2G系列

  • 高速开关损耗特性

  • 低VF特性:与以往相比(与1G相比) VP约降低15%(650V产品)

  • 低IR特性

  • 高正向浪涌耐量:与以往相比(与1G相比)IFSM约提高60%

SiC-SBD 1G Series

  • 高速开关损耗特性

  • 低VF特性

  • 低IR特性

  • 高反向浪涌耐量