产品信息
功率模块
富士电机拥有一系列高品质、高可靠性功率半导体产品，可适用于各种用途。
产品一览
IGBT模块
SiC模块
IGBT模块 X系列的优点
本公司第7代“X系列”通过薄化构成本模块的IGBT元件以及二极管元件的厚度，使其小型化，从而优化元件结构。因此，与以往产品相比（本公司第6代“V系列”），降低变换器运行时的电力损耗。有利于运载机器节能和削减电力成本。
1. 低损耗
通过薄化构成本模块的IGBT元件以及二极管元件的厚度，使其小型化，从而优化元件结构。因此，与以往产品相比（本公司第6代“V系列”），降低变频器运行时的电力损耗。
变频器损耗降低10%，芯片温度降低11℃（与第6代V系列75A, fc=8kHz相比）
2. 小型化
运用新开发的绝缘板，提高模块的散热性能。通过与上述（降低电力损耗）配合控制散热，与以往制品相比，约减小36%，实现了小型化※ 1。
3. 高温动作
通过对高可靠性高耐热封装和芯片进行优化，实现175℃连续动作。
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与过去产品相比可进一步提高35%的输出
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提高ΔTvj 功率循环性（过去的2倍）
IGBT模块 X系列的产品系列（含正在开发） 650V/1200V/1700V
PIM： Power Integrated Modules, 将多个电路放在一个模块中的产品
RC-IGBT： Reverse Conducting Insulated Gate Bipolar Transistor（逆导通 绝缘门双极型晶体管）
EconoPIM™, PrimePACK™是Infineon Technologies公司的注册商标
SiC模块
搭载SiC-SBD的IGBT混合模块X系列/V系列
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适用高性能芯片
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低损耗的X系列/V系列IGBT
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低损耗的SiC-SBD
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兼容旧款Si-IGBT模块产品封装
All-SiC模块
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通过采用最新的沟槽型MOSFET大幅降低损耗
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兼容旧款Si-IGBT模块产品封装
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封装的低电感化
