产品信息（半导体）
功率分立
富士电机提供多种功率分立产品，如分立IGBT、SiC 肖特基势垒二极管和汽车用功率MOSFET 等。
产品一览
SiC肖特基势垒二极管
特长
分立器件
分立IGBT可适用于UPS、功率调节器、空调、焊机等的功率因数改善电路和DC/AC转换器电路中。 通过富士电机的独有技术将具有反向耐压的RB-IGBT产品化，能够构成双向开关和3电平变频器电路。
SiC肖特基势垒二极管
SiC-SBD 2G系列
-
高速开关损耗特性
-
低VF特性：与以往相比（与1G相比） VP约降低15％（650V产品）
-
低IR特性
-
高正向浪涌耐量：与以往相比（与1G相比）IFSM约提高60％
SiC-SBD 1G Series
-
高速开关损耗特性
-
低VF特性
-
低IR特性
-
高反向浪涌耐量
车载用功率MOSFET
产品阵容包括以低通态电阻、高门极电阻为特点的
-
车载用Trench MOSFET
-
具备IPS
技术信息
分立器件
应用手册
技术资料
选型手册
SiC肖特基势垒二极管
应用手册
选型手册
车载用功率MOSFET
