功率分立
富士电机提供多种功率分立产品，如分立IGBT、SiC 肖特基势垒二极管和汽车用功率MOSFET 等。
产品一览
特长
分立器件
分立IGBT可适用于UPS、功率调节器、空调、焊机等的功率因数改善电路和DC/AC转换器电路中。 通过富士电机的独有技术将具有反向耐压的RB-IGBT产品化，能够构成双向开关和3电平变频器电路。
SiC肖特基势垒二极管
SiC-SBD 2G系列
- 高速开关损耗特性
- 低VF特性：与以往相比（与1G相比） VP约降低15％（650V产品）
- 低IR特性
- 高正向浪涌耐量：与以往相比（与1G相比）IFSM约提高60％
SiC-SBD 1G Series
- 高速开关损耗特性
- 低VF特性
- 低IR特性
- 高反向浪涌耐量
车载用功率MOSFET
产品阵容包括以低通态电阻、高门极电阻为特点的
- 车载用Trench MOSFET
- 具备IPS
