产品信息（半导体）
IGBT（功率模块）
富士电机开发了IGBT模块作为电动机的可变速驱动装置或不间断电源装置等的电力转换器的开关元件。IGBT是同时具有功率MOSFET的高速开关性能和双极型晶体管的高电压和大电流处理能力的半导体元件。
产品一览
IGBT模块 X系列的优点
本公司第7代“X系列”通过薄化构成本模块的IGBT元件以及二极管元件的厚度，使其小型化，从而优化元件结构。因此，与以往产品相比（本公司第6代“V系列”），降低变换器运行时的电力损耗。有利于运载机器节能和削减电力成本。
1. 低损耗
通过薄化构成本模块的IGBT元件以及二极管元件的厚度，使其小型化，从而优化元件结构。因此，与以往产品相比（本公司第6代“V系列”），降低变频器运行时的电力损耗。
变频器损耗降低10%，芯片温度降低11℃（与第6代V系列75A, fc=8kHz相比）
2. 小型化
运用新开发的绝缘板，提高模块的散热性能。通过与上述（降低电力损耗）配合控制散热，与以往制品相比，约减小36%，实现了小型化※ 1。
3. 高温动作
通过对高可靠性高耐热封装和芯片进行优化，实现175℃连续动作。
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与过去产品相比可进一步提高35%的输出
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提高ΔTvj 功率循环性（过去的2倍）
IGBT模块 X系列的产品系列（含正在开发） 650V/1200V/1700V
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PIM：
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Power Integrated Modules, 将多个电路放在一个模块中的产品
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RC-IGBT：
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Reverse Conducting Insulated Gate Bipolar Transistor（逆导通 绝缘门双极型晶体管）
EconoPIM™, PrimePACK™是Infineon Technologies公司的注册商标
