บริษัทฯ มีชิปสูญเสียต่ำชั้นนำในอุตสาหกรรม ซึ่งช่วยเพิ่มประสิทธิภาพ ลดขนาด และเพิ่มความน่าเชื่อถือในผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์กำลัง เช่น อินเวอร์เตอร์ รวมถึงเทคโนโลยีการบรรจุภัณฑ์ที่ช่วยให้ระบายความร้อนได้ดีและมีความน่าเชื่อถือสูง ด้วยการสนับสนุนลูกค้าโดยใช้ฐานการผลิตและศูนย์ขายและออกแบบทั่วโลก เราจึงครองตำแหน่งผู้นำในตลาดโมดูล IGBT โดยมีส่วนแบ่งการตลาดสูงเป็นอันดับสามของโลก

ด้วยการใช้ประโยชน์จากจุดแข็งเหล่านี้ในธุรกิจเซมิคอนดักเตอร์กำลังของเรา เราจะสามารถคว้างานออกแบบใหม่ๆ และพัฒนาฐานลูกค้าใหม่ๆ ได้อย่างต่อเนื่อง โดยเฉพาะอย่างยิ่งในด้านมอเตอร์ขับเคลื่อน พลังงานหมุนเวียน และยานยนต์ไฟฟ้า ซึ่งคาดว่าจะมีการเติบโตของตลาดในระยะกลางถึงระยะยาว

ในภาคอุตสาหกรรม เราตั้งเป้าที่จะเพิ่มยอดขายให้เร็วกว่าตลาดโดยการขยายการขายผลิตภัณฑ์ใหม่ ส่วนในภาคยานยนต์ เราจะผลักดันการเติบโตของยอดขายตั้งแต่ปีงบประมาณ 2028 เป็นต้นไปผ่านการพัฒนาฐานลูกค้าใหม่และการคว้าสัญญาการออกแบบใหม่

เราจะพัฒนาผลิตภัณฑ์ใหม่ๆ อย่างต่อเนื่องเพื่อตอบสนองความต้องการทางเทคนิคขั้นสูง เช่น การลดขนาดอุปกรณ์ ลดต้นทุนระบบ และเพิ่มประสิทธิภาพ

ในภาคอุตสาหกรรม เราจะผลิตโมดูล IGBT รุ่นที่ 8 จำนวนมาก ซึ่งจะช่วยลดการสูญเสียพลังงานลงอย่างน้อย 15% เมื่อเทียบกับรุ่นที่ 7 และเพิ่มกระแสไฟฟ้าสูงสุดภายในแพ็คเกจเดียวกัน นอกจากนี้ เราจะพัฒนาโมดูลขนาดกลางรุ่นใหม่ที่แตกต่างด้วยเทคโนโลยีบรรจุภัณฑ์ที่เป็นกรรมสิทธิ์ของเรา และได้รับการปรับให้เหมาะสมสำหรับช่วงกลางระหว่างการใช้งานขนาดกลางและขนาดใหญ่ โดยนำเสนอผลิตภัณฑ์ที่เหมาะสมอย่างยิ่งสำหรับอุปกรณ์ของลูกค้าในด้านพลังงานหมุนเวียน ศูนย์ข้อมูล และตลาดอื่นๆ ที่คาดว่าจะเติบโตในระยะกลางถึงระยะยาว

ในด้านยานยนต์ เราจะผลิตโมดูล SiC กำลังสูงจำนวนมากที่มีขนาดเล็กลงและรูปทรงเพรียวบางลงด้วยเทคโนโลยีการเดินสายสามมิติที่เป็นกรรมสิทธิ์ของเรา ในขณะเดียวกันก็ลดค่าความเหนี่ยวนำ* ภายในโมดูลลงอย่างมาก นอกจากนี้ เราจะเริ่มจัดส่งตัวอย่างโมดูล SiC รุ่นใหม่ที่มีแพ็คเกจรูปทรงเพรียวบาง ซึ่งจะช่วยให้สามารถผลิตผลิตภัณฑ์ที่มีกำลังไฟฟ้าหลากหลายระดับภายในแพ็คเกจเดียว ผลิตภัณฑ์ใหม่เหล่านี้จะช่วยให้ลูกค้าลดขนาดและต้นทุนของอุปกรณ์ได้

* ค่าความเหนี่ยวนำ: ค่าที่สูงขึ้นในส่วนนี้จะทำให้เกิดการสูญเสียจากการสวิตช์และเสียงรบกวนมากขึ้น

ในกระบวนการผลิตชิป (ส่วนหน้า) เราจะเพิ่มกำลังการผลิต SiC ให้สอดคล้องกับความต้องการ เตรียมพร้อมสำหรับการผลิต IGBT รุ่นที่ 8 จำนวนมาก และลดขนาดสายการผลิตขนาดเล็ก สำหรับ SiC นั้น เราจะเริ่มการผลิตขนาด 6 นิ้วที่โรงงานมัตสึโมโตะ โดยปฏิบัติตามแบบอย่างโรงงานสึการุ พร้อมทั้งเดินหน้าเตรียมการผลิตอุปกรณ์ขนาด 8 นิ้วจำนวนมาก สำหรับ Si นั้น เราจะลดขนาดและปิดสายการผลิตขนาดเล็กที่มีขนาด 6 นิ้วหรือน้อยกว่าอย่างเป็นระบบ และเปลี่ยนการผลิตไปที่สายการผลิตขนาด 8 นิ้ว เพื่อเพิ่มประสิทธิภาพการผลิต ส่งเสริมความสมเหตุสมผล และเสริมสร้างผลกำไร

ในกระบวนการประกอบ (ส่วนหลังบ้าน) เราจะเริ่มการผลิตจำนวนมากของผลิตภัณฑ์ใหม่และขยายกำลังการผลิตเพื่อตอบสนองความต้องการที่เพิ่มขึ้น ที่ฐานการผลิตของเราในญี่ปุ่น เราจะเริ่มการผลิตโมดูล IGBT รุ่นที่ 8 สำหรับภาคอุตสาหกรรมและโมดูล SiC ใหม่สำหรับภาคยานยนต์ และเราจะเพิ่มกำลังการผลิตโมดูลอุตสาหกรรมขนาดใหญ่และโมดูล IGBT ขนาดกะทัดรัดสำหรับรถยนต์ไฟฟ้า ที่ฐานการผลิตในต่างประเทศในจีน มาเลเซีย และที่อื่นๆ เราจะเพิ่มกำลังการผลิตโมดูล IGBT รุ่นที่ 7 ซึ่งความต้องการทั่วโลกยังคงแข็งแกร่ง ขึ้น 20% ถึง 30% ต่อปี เพื่อสร้างโครงสร้างที่สามารถตอบสนองความต้องการที่เพิ่มขึ้นในภาคอุตสาหกรรมได้อย่างน่าเชื่อถือ