ข้อมูลผลิตภัณฑ์ใหม่

หน้านี้แนะนำข้อมูลผลิตภัณฑ์ใหม่สำหรับเซมิคอนดักเตอร์กำลังของเรา

วันที่วางจำหน่าย ข้อมูลผลิตภัณฑ์ใหม่
1 กุมภาพันธ์ 2560 การเปิดตัวไอซีควบคุมแหล่งจ่ายไฟที่ให้ประสิทธิภาพการใช้พลังงานภายใต้ภาระเบาที่ดีขึ้น
20 ตุลาคม 2557 เปิดตัว "Power Factor Correction ICs (FA1A Series)" ที่เหมาะอย่างยิ่งสำหรับแหล่งจ่ายไฟของระบบไฟ LED หลายประเภท ทีวี LCD และอุปกรณ์สำนักงาน
15 ตุลาคม 2557 เปิดตัว "Super J MOS ® Series สำหรับรถยนต์" ที่เป็นไปตามมาตรฐานการรับรองคุณภาพยานยนต์ (AEC-Q101)
6 ตุลาคม 2557 เปิดตัว "Super J MOS ® Built-in FRED Series" ที่เหมาะสำหรับวงจรเรโซแนนซ์และวงจรอินเวอร์เตอร์
23 มิ.ย. 2557 ขยายระดับกระแสไฟ "Small Capacity IPM" เป็น 30A ขยายซีรีส์ให้รวมฟังก์ชันการป้องกันต่างๆ และตัวเลือกเอาต์พุตสัญญาณเตือน
7 เม.ย. 2557 เพิ่มใหม่ในซีรีส์โมดูล IGBT ความเร็วสูง ประเภท HJ ที่มีความจุกระแสไดโอดที่เพิ่มขึ้นและทำให้เข้ากันได้กับระบบควบคุมการเลื่อนเฟส
วันที่ 14 ตุลาคม 2556 เปิดตัว "Current Resonance IC (FA6A Series)" ที่เข้ากันได้กับแรงดันไฟฟ้าขาเข้าทั่วโลกซึ่งช่วยลดการใช้ไฟสแตนด์บายและประสิทธิภาพสูง
22 เมษายน 2556 เปิดตัว "Discrete IGBT (High-Speed V Series IC=IF Type)" ที่เหมาะสำหรับสวิตช์ทิศทางสองทางของอินเวอร์เตอร์ 3 ระดับ (AT-NPC)
15 เมษายน 2556 เปิดตัว "AT-NPC 3-Level 12in1 IGBT Module" ที่เหมาะกับวงจร 3 เฟส 3 ระดับ
8 ตุลาคม 2555 เปิดตัว "PWM IC (ซีรีย์ FA8A)" ซึ่งใช้พลังงานสแตนด์บายต่ำ สอดคล้องกับมาตรฐาน DoE lot6
วันที่ 11 มกราคม 2555 เปิดตัว MOSFET "Super J MOS ® Series" ซึ่งบรรลุระดับที่ดีที่สุดในอุตสาหกรรมสำหรับการสูญเสียต่ำ
ติดต่อ
คำถามที่พบบ่อย
แค็ตตาล็อก
ดาวน์โหลดเอกสาร
ติดต่อเรา