แบ่งปัน
ข่าวประชาสัมพันธ์
เปิดตัว P641 ซีรีส์ 3 ไมโคร IPM ช่วยลดการใช้พลังงานของเครื่องปรับอากาศ
เปิดตัว P641 ซีรีส์ 3 ไมโคร IPM ช่วยลดการใช้พลังงานของเครื่องปรับอากาศ
(182KB)
5 กุมภาพันธ์ 2569
บริษัท ฟูจิ อิเล็กทริค จำกัด
บริษัท ฟูจิ อิเล็กทริค จำกัด มีความยินดีที่จะประกาศเปิดตัว IPM ขนาดเล็ก รุ่นที่ 3 ซีรีส์ P641 ซึ่งช่วยลดการใช้พลังงานของเครื่องปรับอากาศและเครื่องใช้ไฟฟ้าภายในบ้านอื่นๆ
1. ข้อมูลเบื้องต้น
ในขณะที่ประเทศต่างๆ ทั่วโลกกำลังตั้งเป้าหมายการประหยัดพลังงานเพื่อลดการปล่อยก๊าซคาร์บอนไดออกไซด์ การลดการใช้พลังงานของเครื่องใช้ไฟฟ้าภายในบ้านในท้องตลาดก็มีความจำเป็นเช่นกัน โดยเฉพาะอย่างยิ่งเครื่องปรับอากาศซึ่งใช้ไฟฟ้ามากที่สุดในครัวเรือนทั่วไป ดังนั้นการปรับปรุงประสิทธิภาพการใช้พลังงานของเครื่องปรับอากาศจะช่วยประหยัดพลังงานได้อย่างมาก
โมดูลพลังงานอัจฉริยะ (IPM) ของ Fuji Electric เป็นอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์กำลังสูงประสิทธิภาพสูง ที่ติดตั้งวงจรขับ IGBT และฟังก์ชันป้องกันในตัว ทำหน้าที่ควบคุมความเร็วรอบของคอมเพรสเซอร์โดยการควบคุมแรงดันและความถี่ด้วยการสวิตช์ (เปิดและปิดกระแสไฟฟ้า) โดยส่วนใหญ่จะอยู่ในวงจรอินเวอร์เตอร์ของชุดภายนอกของเครื่องปรับอากาศ ซึ่งช่วยให้เครื่องปรับอากาศสามารถรักษาอุณหภูมิห้องได้อย่างเหมาะสม
ชิป IPM ขนาดเล็ก รุ่นที่ 3 ซีรีส์ P641 นี้ ใช้ชิปเซมิคอนดักเตอร์กำลังไฟฟ้ารุ่นล่าสุดของ FE เพื่อเพิ่มประสิทธิภาพการนำไฟฟ้าและลดขนาดให้เล็กลง พร้อมทั้งลดการสูญเสียพลังงานลง 10% เมื่อเทียบกับผลิตภัณฑ์ทั่วไป ช่วยลดการใช้พลังงานและพื้นที่ในการใช้งานของอุปกรณ์
ชิป IPM ขนาดเล็ก รุ่นที่ 3 ซีรีส์ P641
2. คุณสมบัติ
1) ลดการสูญเสียพลังงานลง 10% และลดขนาดพื้นที่ใช้งานลง 44%
ผลิตภัณฑ์นี้ผสานรวมชิป RC-IGBT*1 รุ่นที่ 7 ล่าสุดของ FE โดยลดความต้านทานของเส้นทางกระแสไฟฟ้า (ชั้นดริฟต์) ด้วยการทำให้ชิปบางลงและปรับโครงสร้างแรงดันไฟฟ้าให้เหมาะสม นอกจากนี้ โครงสร้างพื้นผิวของชิปยังถูกย่อขนาดลงและจัดเรียงเส้นทางกระแสไฟฟ้าให้มีความหนาแน่นสูงเพื่อลดการสูญเสียจากการนำไฟฟ้า<sup>2</sup> ส่งผลให้การสูญเสียพลังงานลดลงประมาณ 10% เมื่อเทียบกับผลิตภัณฑ์เดิมของ FE (ซีรี่ส์ P633) ยิ่งไปกว่านั้น การเพิ่มกำลังเอาต์พุตต่อหน่วยพื้นที่ทำให้ขนาดผลิตภัณฑ์ลดลงได้ถึง 44% เมื่อเทียบกับผลิตภัณฑ์เดิม ซึ่งมีส่วนช่วยในการย่อขนาดของวงจรอินเวอร์เตอร์
*1: ทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์แบบเกตฉนวนนำไฟฟ้าแบบย้อนกลับ
*2: การสูญเสียที่เกิดจากความต้านทานระหว่างการไหลของกระแสไฟฟ้า
2) บรรลุประสิทธิภาพการระบายความร้อนเทียบเท่ากับผลิตภัณฑ์ทั่วไป เพื่อผลิตผลิตภัณฑ์ซีรีส์แรกในอุตสาหกรรมที่ได้รับการจัดอันดับ 40 A
โดยทั่วไปแล้ว เซมิคอนดักเตอร์ที่มีขนาดเล็กกว่าจะมีอัตราการระบายความร้อนต่ำกว่า ดังนั้น ผลิตภัณฑ์ในซีรีส์นี้จึงใช้แผ่นฉนวนเรซินที่มีอัตราการระบายความร้อนสูง เพื่อลดความต้านทานความร้อนลง 25% และให้ประสิทธิภาพการระบายความร้อนเท่ากับผลิตภัณฑ์ทั่วไป นอกจากนี้ โครงสร้างภายในของผลิตภัณฑ์ยังได้รับการปรับให้เหมาะสมเพื่อรองรับชิปขนาดใหญ่ขึ้น ทำให้บริษัทสามารถผลิตผลิตภัณฑ์ซีรีส์แรกในอุตสาหกรรมที่รองรับกระแสไฟฟ้าได้สูงถึง 40 A ในผลิตภัณฑ์ที่มีขนาดภายนอกเท่าเดิม
3. ข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์
4. ตารางการเปิดตัว
ข้อมูล ณ วันที่ประกาศนี้มีผลบังคับใช้
■ คำถามที่เกี่ยวข้อง
แบบฟอร์มสอบถาม : https://www.fujielectric.com/contact/contact.php?pid=4
■ เว็บไซต์ผลิตภัณฑ์
https://www.fujielectric.com/products/semiconductors_devices/semiconductor/product_series/model_power_modules_igbt_small_ipm.html
-
Note:
-
ข้อมูลที่มีอยู่ในข่าวเผยแพร่ฉบับนี้เป็นข้อมูล ณ เวลาที่เผยแพร่และอาจมีการเปลี่ยนแปลงโดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า
