ข้อมูลสินค้า
โมดูลพลังงาน

รายการสินค้า
โมดูล IGBT
โมดูล SiC
คุณสมบัติของโมดูล IGBT ซีรี่ส์ X
ในซีรีส์ X รุ่นที่ 7 อุปกรณ์ IGBT และไดโอดที่ประกอบเป็นโมดูลได้รับการทำให้บางลงและมีขนาดเล็กลงเพื่อปรับโครงสร้างอุปกรณ์ให้เหมาะสมที่สุด ส่งผลให้การสูญเสียพลังงานระหว่างการทำงานของอินเวอร์เตอร์ลดลงเมื่อเปรียบเทียบกับผลิตภัณฑ์ทั่วไป (ซีรีส์ V รุ่นที่ 6 ของ Fuji Electric) ซึ่งช่วยประหยัดพลังงานและลดต้นทุนพลังงานของอุปกรณ์ที่ติดตั้งโมดูล
1. การสูญเสียต่ำ
อุปกรณ์ IGBT และไดโอดที่ประกอบเป็นโมดูลเหล่านี้ได้รับการออกแบบให้บางลงและมีขนาดเล็กลงเพื่อให้โครงสร้างอุปกรณ์เหมาะสมที่สุด ส่งผลให้การสูญเสียพลังงานระหว่างการทำงานของอินเวอร์เตอร์ลดลงเมื่อเปรียบเทียบกับผลิตภัณฑ์ทั่วไป (V Series รุ่นที่ 6 ของ Fuji Electric)
ลดการสูญเสียอินเวอร์เตอร์ 10% และลดอุณหภูมิชิป 11°C (เมื่อเปรียบเทียบกับซีรีส์ V รุ่นที่ 6 75A, fc=8 kHz)

2. การลดขนาด
ได้มีการนำวัสดุฉนวนที่พัฒนาขึ้นใหม่มาใช้เพื่อปรับปรุงการกระจายความร้อนของโมดูล เมื่อรวมกับการสูญเสียพลังงานที่ลดลงแล้ว จะช่วยลดการเกิดความร้อน ซึ่งทำให้สามารถลดขนาดลงได้ประมาณ 36% เมื่อเทียบกับผลิตภัณฑ์ทั่วไป

3. การทำงานภายใต้อุณหภูมิสูง
แพ็คเกจที่มีความน่าเชื่อถือสูงและทนความร้อนสูงรวมทั้งการเพิ่มประสิทธิภาพชิปทำให้สามารถทำงานที่อุณหภูมิต่อเนื่องได้ถึง 175°C
-
สามารถเพิ่มผลผลิตได้ 35% จากผลิตภัณฑ์แบบเดิม
-
ความต้านทานการจ่ายไฟ ΔTvj ได้รับการปรับปรุงให้ดีขึ้น (เป็นสองเท่าของผลิตภัณฑ์รุ่นก่อนหน้า)

กลุ่มผลิตภัณฑ์โมดูล IGBT X Series (รวมถึงผลิตภัณฑ์ที่อยู่ระหว่างการพัฒนา) 650 V/1200 V/1700 V


PIM: Power Integrated Modules (ผลิตภัณฑ์ที่รวมวงจรหลายวงจรเข้าเป็นโมดูลเดียว)
RC-IGBT: ทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์เกตฉนวนตัวนำย้อนกลับ
EconoPIM™ และ PrimePACK™ เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนของ Infineon Technologies AG
โมดูล SiC
โมดูลไฮบริด IGBT พร้อมซีรีส์ X / ซีรีส์ V ของ SiC-SBD
-
ชิปประสิทธิภาพสูง
-
IGBT ซีรีส์ X / ซีรีส์ V สำหรับการทำงานที่มีการสูญเสียต่ำ
-
SiC-SBD สำหรับการทำงานที่มีการสูญเสียต่ำ
-
-
แพ็คเกจไลน์เดียวกันกับโมดูล Si-IGBT ทั่วไป
โมดูล SiC ทั้งหมด
-
MOSFET ร่อง SiC รุ่นล่าสุดสำหรับการทำงานที่มีการสูญเสียต่ำอย่างมีนัยสำคัญ
-
แพ็คเกจที่เข้ากันได้เป็นโมดูล Si-IGBT ทั่วไป
-
แพ็คเกจเหนี่ยวนำต่ำ