ข้อมูลสินค้า
โมดูลพลังงาน

โมดูลพลังงาน
Fuji Electric นำเสนอโมดูลพลังงานคุณภาพสูงและเชื่อถือได้ซึ่งเหมาะกับการใช้งานที่หลากหลาย

รายการสินค้า

โมดูล IGBT

โมดูล SiC

คุณสมบัติของโมดูล IGBT ซีรี่ส์ X

ในซีรีส์ X รุ่นที่ 7 อุปกรณ์ IGBT และไดโอดที่ประกอบเป็นโมดูลได้รับการทำให้บางลงและมีขนาดเล็กลงเพื่อปรับโครงสร้างอุปกรณ์ให้เหมาะสมที่สุด ส่งผลให้การสูญเสียพลังงานระหว่างการทำงานของอินเวอร์เตอร์ลดลงเมื่อเปรียบเทียบกับผลิตภัณฑ์ทั่วไป (ซีรีส์ V รุ่นที่ 6 ของ Fuji Electric) ซึ่งช่วยประหยัดพลังงานและลดต้นทุนพลังงานของอุปกรณ์ที่ติดตั้งโมดูล

1. การสูญเสียต่ำ

อุปกรณ์ IGBT และไดโอดที่ประกอบเป็นโมดูลเหล่านี้ได้รับการออกแบบให้บางลงและมีขนาดเล็กลงเพื่อให้โครงสร้างอุปกรณ์เหมาะสมที่สุด ส่งผลให้การสูญเสียพลังงานระหว่างการทำงานของอินเวอร์เตอร์ลดลงเมื่อเปรียบเทียบกับผลิตภัณฑ์ทั่วไป (V Series รุ่นที่ 6 ของ Fuji Electric)

ลดการสูญเสียอินเวอร์เตอร์ 10% และลดอุณหภูมิชิป 11°C (เมื่อเปรียบเทียบกับซีรีส์ V รุ่นที่ 6 75A, fc=8 kHz)

Graph

2. การลดขนาด

ได้มีการนำวัสดุฉนวนที่พัฒนาขึ้นใหม่มาใช้เพื่อปรับปรุงการกระจายความร้อนของโมดูล เมื่อรวมกับการสูญเสียพลังงานที่ลดลงแล้ว จะช่วยลดการเกิดความร้อน ซึ่งทำให้สามารถลดขนาดลงได้ประมาณ 36% เมื่อเทียบกับผลิตภัณฑ์ทั่วไป

36% size reduction

3. การทำงานภายใต้อุณหภูมิสูง

แพ็คเกจที่มีความน่าเชื่อถือสูงและทนความร้อนสูงรวมทั้งการเพิ่มประสิทธิภาพชิปทำให้สามารถทำงานที่อุณหภูมิต่อเนื่องได้ถึง 175°C

  • สามารถเพิ่มผลผลิตได้ 35% จากผลิตภัณฑ์แบบเดิม

  • ความต้านทานการจ่ายไฟ ΔTvj ได้รับการปรับปรุงให้ดีขึ้น (เป็นสองเท่าของผลิตภัณฑ์รุ่นก่อนหน้า)

Further output increase

กลุ่มผลิตภัณฑ์โมดูล IGBT X Series (รวมถึงผลิตภัณฑ์ที่อยู่ระหว่างการพัฒนา) 650 V/1200 V/1700 V

PIM: Power Integrated Modules (ผลิตภัณฑ์ที่รวมวงจรหลายวงจรเข้าเป็นโมดูลเดียว)
RC-IGBT: ทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์เกตฉนวนตัวนำย้อนกลับ
EconoPIM™ และ PrimePACK™ เป็นเครื่องหมายการค้าจดทะเบียนของ Infineon Technologies AG

โมดูล SiC

โมดูลไฮบริด IGBT พร้อมซีรีส์ X / ซีรีส์ V ของ SiC-SBD

  • ชิปประสิทธิภาพสูง

    • IGBT ซีรีส์ X / ซีรีส์ V สำหรับการทำงานที่มีการสูญเสียต่ำ

    • SiC-SBD สำหรับการทำงานที่มีการสูญเสียต่ำ

  • แพ็คเกจไลน์เดียวกันกับโมดูล Si-IGBT ทั่วไป

โมดูล SiC ทั้งหมด

  • MOSFET ร่อง SiC รุ่นล่าสุดสำหรับการทำงานที่มีการสูญเสียต่ำอย่างมีนัยสำคัญ

  • แพ็คเกจที่เข้ากันได้เป็นโมดูล Si-IGBT ทั่วไป

  • แพ็คเกจเหนี่ยวนำต่ำ

การสนับสนุนการออกแบบ

โมดูล IGBT

โมดูล SiC

ติดต่อเรา