ข้อมูลสินค้า
กำลังไฟแบบแยกส่วน
รายการสินค้า
ไดโอด Schottky Barrier ของ SiC
คุณสมบัติ
IGBT แบบแยกส่วน
IGBT แบบแยกส่วนมีไว้สำหรับการใช้งาน เช่น UPS เครื่องปรับกำลังไฟฟ้า เครื่องปรับอากาศ และเครื่องเชื่อม และยังนำไปใช้กับวงจรแก้ไขค่ากำลังไฟฟ้าและวงจรแปลง DC/AC ได้อีกด้วย
ผลิตภัณฑ์นี้ได้รับการพัฒนาโดยใช้เทคโนโลยีเฉพาะของ Fuji Electric ในรูปแบบ RB-IGBT ที่มีคุณสมบัติทนต่อแรงดันไฟฟ้าแบบย้อนกลับ สามารถกำหนดค่าสำหรับการสลับทิศทางสองทางและวงจรอินเวอร์เตอร์ 3 ระดับได้
ไดโอด Schottky-Barrier SiC (SBD)
ซีรีย์ SiC-SBD 2G
-
การสลับความเร็วสูง
-
Low-VF: VF ต่ำกว่าผลิตภัณฑ์ทั่วไปประมาณ 15% (เทียบกับ 1G 650V)
-
IR ต่ำ
-
ความสามารถกระแสไฟกระชากสูง: IFSM ได้รับการปรับปรุงให้ดีขึ้นประมาณ 60% เมื่อเทียบกับผลิตภัณฑ์ทั่วไป (เทียบกับ 1G)
ซีรีย์ SiC-SBD 1G
-
การสลับความเร็วสูง
-
VF ต่ำ
-
IR ต่ำ
-
ความสามารถกระแสไฟกระชากสูง
มอสเฟตกำลังไฟฟ้ายานยนต์
ผลิตภัณฑ์ของเรามีคุณสมบัติความต้านทานการเปิดต่ำและความต้านทานเกตสูง และประกอบด้วย:
-
MOSFET สำหรับร่องลึกยานยนต์
-
ไอพีเอส
