เปิดตัวโมดูล IGBT อุตสาหกรรมความจุขนาดใหญ่ซีรีส์ HPnC เพื่อขยายการใช้พลังงานหมุนเวียน
เปิดตัวโมดูล IGBT อุตสาหกรรมความจุขนาดใหญ่ซีรีส์ HPnC เพื่อขยายการใช้พลังงานหมุนเวียน
（ไฟล์ PDF(129KB))
5 เมษายน 2567
บริษัท ฟูจิ อิเล็คทริค จำกัด
บริษัท Fuji Electric Co., Ltd. (FE) มีความยินดีที่จะประกาศเปิดตัวซีรีส์ HPnC ซึ่งเป็นซีรีส์ใหม่ของโมดูล IGBT* อุตสาหกรรมความจุขนาดใหญ่สำหรับการใช้งานต่างๆ รวมถึงตัวแปลงไฟฟ้าสำหรับระบบผลิตไฟฟ้าจากพลังงานแสงอาทิตย์และลม
-
* ทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์เกตฉนวน
-
1. พื้นหลัง
เพื่อให้บรรลุสังคมปลอดคาร์บอน จำเป็นต้องขยายการใช้แหล่งพลังงานหมุนเวียน เช่น พลังงานแสงอาทิตย์และพลังงานลมให้มากขึ้น ซึ่งการลดต้นทุนการผลิตไฟฟ้าก็กลายเป็นปัญหา โมดูล IGBT ถูกติดตั้งในตัวแปลงไฟฟ้า เช่น อินเวอร์เตอร์และระบบปรับกำลังไฟฟ้า (PCS) และทำหน้าที่เปลี่ยนความถี่และแรงดันไฟฟ้าโดยการเปิดและปิดไฟฟ้า
FE มีแผนจะเปิดตัวโมดูล IGBT* อุตสาหกรรมความจุขนาดใหญ่ซีรีส์ HPnC สำหรับการใช้งานต่างๆ รวมถึง PCS ที่ทำหน้าที่แปลงพลังงานในระบบผลิตไฟฟ้าจากแสงอาทิตย์และตัวแปลงพลังงานสำหรับระบบผลิตไฟฟ้าจากลม ด้วยกระแสและแรงดันไฟฟ้าที่กำหนดเพิ่มขึ้น ผลิตภัณฑ์เหล่านี้จึงปรับปรุงความจุและลดขนาดโดยรวมของตัวแปลงพลังงานที่ติดตั้งไว้ จึงช่วยลดต้นทุนการผลิตไฟฟ้าได้
2. คุณสมบัติ
-
-
(1) ปรับปรุงความจุของตัวแปลงไฟฟ้า ช่วยลดจำนวนหน่วยที่ติดตั้งและขยายพื้นที่การติดตั้งแผงโซลาร์เซลล์
นอกจากการใช้ชิป IGBT รุ่นล่าสุดแล้ว ยังได้ปรับปรุงเค้าโครงของเทอร์มินัลภายในและเค้าโครงของชิปของโมดูล และใช้วัสดุระบายความร้อนสูงเพื่อเพิ่มความหนาแน่นของกระแสไฟต่อหน่วยพื้นที่ จึงทำให้ได้กระแสไฟที่กำหนดระดับชั้นนำของอุตสาหกรรมที่ 1,800 แอมแปร์ (เพิ่มขึ้นประมาณ 80% เมื่อเทียบกับผลิตภัณฑ์รุ่นก่อนของบริษัท) ในขณะที่ยังคงขนาดของโมดูลเอาไว้ จำนวนตัวแปลงไฟฟ้าที่ติดตั้งสามารถลดลงได้โดยการปรับปรุงความจุต่อหน่วย ในการผลิตพลังงานแสงอาทิตย์ ตัวแปลงไฟฟ้ายังสามารถใช้เพื่อขยายพื้นที่ติดตั้งแผงโซลาร์เซลล์ได้อีกด้วย คุณสมบัติเหล่านี้ช่วยปรับปรุงประสิทธิภาพการผลิตไฟฟ้าและลดต้นทุนการผลิตไฟฟ้า
-
-
(2) ผลิตภัณฑ์แรงดันพังทลาย 2300 V รองรับ 1500 VDC ช่วยลดจำนวนชิ้นส่วนในตัวแปลงไฟฟ้า
ตัวแปลงไฟฟ้ากำลังได้รับการปรับปรุงให้รองรับแรงดันไฟฟ้าที่สูงขึ้น (1500 VDC) เพื่อปรับปรุงประสิทธิภาพการแปลงไฟฟ้าและการเชื่อมต่อกับระบบผลิตไฟฟ้าขนาดใหญ่ แรงดันไฟฟ้าที่กำหนดสำหรับโมดูล IGBT ที่ติดตั้งบนตัวแปลงไฟฟ้า 1500 VDC คือ 2000 V หรือสูงกว่า เพื่อรองรับสิ่งนี้ โดยทั่วไป โมดูล IGBT สองโมดูลที่มีแรงดันไฟฟ้าที่กำหนด 1200 V หรือ 1700 V จะถูกเชื่อมต่อแบบอนุกรม FE ได้ปรับปรุงโครงสร้างแรงดันไฟฟ้าพังทลายของชิป IGBT และชิป FWD* ให้เหมาะสมที่สุด และขณะนี้มีโมดูล IGBT จำนวนมากที่มีแรงดันไฟฟ้าที่กำหนด 2300 V
โมดูลหนึ่งสามารถรองรับตัวแปลงไฟฟ้า 1,500 VDC ซึ่งทำให้สามารถลดจำนวนโมดูล IGBT ที่ติดตั้งและส่วนประกอบอื่นๆ เช่น การเดินสายในวงจรต่อพ่วง ทำให้ใช้ตัวแปลงไฟฟ้าได้ขนาดเล็กลง ซึ่งช่วยลดต้นทุนการผลิตไฟฟ้า
* ไดโอดฟรีวีลลิ่ง
3. ข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์
4. กำหนดการเปิดตัว
-
-
June 2024
5. การสอบถามสินค้า
-
-
แผนกขาย 1 แผนกขาย กลุ่มธุรกิจเซมิคอนดักเตอร์ บริษัท ฟูจิ อิเล็คทริค จำกัด
☎ +81-3-5435-7152
[เว็บไซต์ผลิตภัณฑ์]
https://www.fujielectric.com/products/semiconductors_devices/semiconductor/product_series/model_power_modules_igbt_2pack.html
-
-
*ข้อมูลที่มีอยู่ในข่าวประชาสัมพันธ์ฉบับนี้ (คุณลักษณะของผลิตภัณฑ์ ข้อมูลการสอบถาม ราคา ฯลฯ) ถูกต้อง ณ วันที่ประกาศนี้ ข้อมูลนี้อาจมีการเปลี่ยนแปลงโดยไม่ต้องแจ้งให้ทราบล่วงหน้า
