แบ่งปัน
ข่าวประชาสัมพันธ์
การเปิดตัวซีรีส์ Super J-MOS
22 ธันวาคม 2554
บริษัท ฟูจิ อิเล็คทริค จำกัด
วันนี้ บริษัท Fuji Electric Co., Ltd. ประกาศเปิดตัวซีรีส์ Super J-MOS ซึ่งมีคุณสมบัติความต้านทานการเปิดต่ำที่สุดในอุตสาหกรรม
1. วัตถุประสงค์
ท่ามกลางความกังวลที่เพิ่มขึ้นเกี่ยวกับสิ่งแวดล้อมระดับโลก ความคิดริเริ่มที่จะเป็นมิตรต่อสิ่งแวดล้อมมากขึ้นในด้านไอทีและพลังงานใหม่ เป็นต้น กำลังให้ความสนใจกับเซมิคอนดักเตอร์กำลังไฟฟ้าที่มีการแปลงพลังงานอย่างมีประสิทธิภาพ ในบริบทนี้ มีความต้องการ MOSFET (ทรานซิสเตอร์เอฟเฟกต์สนามโลหะออกไซด์เซมิคอนดักเตอร์) ซึ่งเป็นอุปกรณ์หลักที่ใช้สำหรับการแปลงพลังงานในเซมิคอนดักเตอร์ ซึ่งช่วยปรับปรุงประสิทธิภาพการใช้พลังงานได้ในระดับที่มากกว่าในอดีต เพื่อตอบสนองความต้องการดังกล่าว Fuji Electric จึงได้เปิดตัวซีรีส์ Super J-MOS ที่มีโครงสร้างซูเปอร์จังก์ชัน (SJ) ที่พัฒนาขึ้นใหม่* ซึ่งให้ประสิทธิภาพความต้านทานต่ำและลดการสูญเสียพลังงานได้อย่างมาก
ด้วยการเปิดตัวซีรีส์ใหม่ Fuji Electric ตั้งใจที่จะมีส่วนสนับสนุนในการสร้างสังคมคาร์บอนต่ำโดยการปรับปรุงประสิทธิภาพการแปลงพลังงานและลดการใช้พลังงานในอุปกรณ์
2. คุณสมบัติ
ลดความต้านทานลง 70%* 2 จึงทำให้มีประสิทธิภาพชั้นนำของอุตสาหกรรมในการสูญเสียพลังงานต่ำ
เทคโนโลยีลดการสูญเสียการสลับล่าสุด ช่วยลดการสูญเสียทั้งหมดจากอุปกรณ์ได้ 14%* 2
3. ข้อมูลจำเพาะ (สำหรับรุ่นตัวแทน)
4. การใช้งานหลัก
อุปกรณ์สารสนเทศและการสื่อสารรวมถึงเซิร์ฟเวอร์อินเทอร์เน็ต ระบบจ่ายไฟสำรอง และอุปกรณ์ออกอากาศ
เครื่องปรับไฟฟ้าโซลาร์เซลล์และอุปกรณ์แปลงไฟฟ้าอื่นๆ สำหรับสนามพลังงานใหม่
-
Notes:
-
-
*1
-
ข้อดีของโครงสร้าง SJ คือความสามารถในการลดค่าความต้านทานได้อย่างมีนัยสำคัญโดยการเพิ่มความเข้มข้นของสิ่งเจือปนในบริเวณประเภท N ซึ่งทำได้โดยการแทนที่ชั้นดริฟท์ของ MOSFET ทั่วไปด้วยบริเวณประเภท P และประเภท N สลับกัน ในโครงสร้างเครื่องไสของ MOSFET ทั่วไป การรักษาระดับความต้านทานให้ต่ำกว่าค่าคงที่นั้นเป็นไปไม่ได้ เนื่องจากแรงดันไฟฟ้าพังทลายได้รับการรักษาไว้โดยการขยายบริเวณฉนวนไฟฟ้า (ชั้นลดทอน) ในชั้นประเภท N ที่มีความต้านทานสูง ในทางตรงกันข้าม แม้ว่าโครงสร้าง SJ จะลดความต้านทานของชั้นประเภท N แต่แรงดันไฟฟ้าพังทลายจะยังคงอยู่ เนื่องจากการสร้างบริเวณประเภท P ในบริเวณประเภท N ทำให้สามารถขยายชั้นลดทอนได้ไม่เพียงแค่ในทิศทางตามยาวเท่านั้น แต่ยังรวมถึงในทิศทางตามกว้างด้วย ด้วยวิธีนี้ โครงสร้าง SJ จึงมีค่าความต้านทานต่ำในระดับที่มากกว่าข้อจำกัดทางทฤษฎีของโครงสร้างเครื่องไสแบบทั่วไป
-
*2
-
เมื่อเทียบกับผลิตภัณฑ์ฟูจิ อิเล็คทริค รุ่นก่อนหน้า
อ้างอิง : โครงสร้าง SJ MOSFET
สินค้าในซีรีย์ Super J-MOS
สอบถามสินค้า
ฝ่ายขาย 1, ฝ่ายขาย 3, กลุ่มเพาเวอร์อิเล็กทรอนิกส์, สำนักงานใหญ่ฝ่ายขาย
บริษัท ฟูจิ อิเล็คทริค จำกัด
โทรศัพท์ : 81-3-5435-7256
