Thông tin sản phẩm
Mô-đun nguồn
Danh sách sản phẩm
Mô-đun IGBT
Mô-đun SiC
Mô-đun ô tô
Các tính năng của IGBT Module X Series
Trong dòng X thế hệ thứ 7, các thiết bị IGBT và diode tạo nên các mô-đun đã được làm mỏng hơn và thu nhỏ lại để tối ưu hóa cấu trúc thiết bị. Điều này đã làm giảm tổn thất điện năng trong quá trình vận hành biến tần so với các sản phẩm thông thường (Dòng V thế hệ thứ 6 của Fuji Electric). Điều này góp phần tiết kiệm năng lượng và giảm chi phí điện năng trên thiết bị mà mô-đun được lắp đặt.
1. Tổn thất thấp
Các thiết bị IGBT và diode tạo nên các mô-đun này đã được làm mỏng hơn và thu nhỏ lại để tối ưu hóa cấu trúc thiết bị. Điều này đã làm giảm tổn thất điện năng trong quá trình vận hành biến tần so với các sản phẩm thông thường (Fuji Electric's 6th Generation V Series)
Giảm 10% tổn thất biến tần và giảm 11°C nhiệt độ chip (so với V Series 75A thế hệ thứ 6, fc=8 kHz)
2. Giảm kích thước
Một lớp nền cách điện mới được phát triển đã được áp dụng để cải thiện khả năng tản nhiệt của mô-đun. Điều này kết hợp với việc giảm tổn thất điện năng giúp ngăn chặn sự tỏa nhiệt, giúp giảm kích thước khoảng 36% so với các sản phẩm thông thường.
3. Hoạt động ở nhiệt độ cao
Gói có độ tin cậy cao và khả năng chịu nhiệt tốt cùng với việc tối ưu hóa chip đã đạt được nhiệt độ hoạt động liên tục là 175°C.
-
Sản lượng có thể tăng 35% so với sản phẩm thông thường
-
Điện trở chu kỳ công suất ΔTvj được cải thiện (gấp đôi so với các sản phẩm trước đó)
Dòng sản phẩm mô-đun IGBT X Series (bao gồm các sản phẩm đang được phát triển) 650 V/1200 V/1700 V
PIM: Power Integrated Modules (sản phẩm tích hợp nhiều mạch vào một mô-đun duy nhất)
RC-IGBT: Transistor lưỡng cực cổng cách điện dẫn ngược
EconoPIM™ và PrimePACK™ là thương hiệu đã đăng ký của Infineon Technologies AG.
Mô-đun SiC
Mô-đun lai IGBT với SiC-SBD dòng X / dòng V
-
Chip hiệu suất cao
-
IGBT dòng X / dòng V cho hoạt động tổn thất thấp
-
SiC-SBD cho hoạt động tổn thất thấp
-
-
Dòng sản phẩm đóng gói giống như các mô-đun Si-IGBT thông thường
Mô-đun toàn SiC
-
MOSFET cổng rãnh SiC thế hệ mới nhất cho hoạt động tổn thất thấp đáng kể
-
Dòng sản phẩm gói tương thích như các mô-đun Si-IGBT thông thường
-
Gói độ tự cảm thấp hơn
