ข่าวประชาสัมพันธ์

เปิดตัวซีรีส์ SiC-SBD แบบแยกรุ่นที่ 2 เพื่อช่วยประหยัดพลังงานสำหรับศูนย์ข้อมูลและสถานีฐานการสื่อสาร

วันที่ 15 พฤศจิกายน 2564
บริษัท ฟูจิ อิเล็คทริค จำกัด

บริษัท Fuji Electric Co., Ltd. (มีสำนักงานใหญ่อยู่ที่กรุงโตเกียว ประเทศญี่ปุ่น ภายใต้การนำของประธาน Michihiro Kitazawa) มีความยินดีที่จะประกาศเปิดตัวซีรีส์เซมิคอนดักเตอร์กำลังไฟฟ้าแบบแยก SiC-SBD* รุ่นที่ 2 ซึ่งจะช่วยประหยัดพลังงานในศูนย์ข้อมูลและสถานีฐานการสื่อสาร

1. พื้นหลัง

ปริมาณการรับส่งข้อมูลเครือข่ายเพิ่มขึ้นอย่างต่อเนื่อง อันเนื่องมาจากการเปลี่ยนแปลงทางดิจิทัล (DX) การทำงานระยะไกลที่เพิ่มขึ้น และการใช้บริการอินเทอร์เน็ตที่ขยายตัวมากขึ้น ส่งผลให้การลงทุนในศูนย์ข้อมูลและสถานีฐานการสื่อสารเร่งตัวขึ้น ส่งผลให้ความต้องการอุปกรณ์จ่ายไฟเพิ่มขึ้นเช่นกัน และคาดการณ์ว่าตลาดจะเติบโตจาก 3 แสนล้านเยนในปัจจุบัน เป็น 4 แสนล้านเยนในปีงบประมาณ 2571*

เนื่องจากศูนย์ข้อมูลและสถานีฐานการสื่อสารต้องใช้พลังงานไฟฟ้ากระแสตรงจำนวนมากในการดำเนินงานของโรงงาน จึงมีการติดตั้งอุปกรณ์จ่ายไฟด้วยเซมิคอนดักเตอร์กำลังไฟฟ้า (ไดโอด) ที่แปลง (แก้ไข) พลังงานไฟฟ้ากระแสสลับที่ได้รับจากบริษัทสาธารณูปโภคเป็นพลังงานไฟฟ้ากระแสตรงได้อย่างมีประสิทธิภาพ

2. คุณลักษณะของผลิตภัณฑ์

ลดการสูญเสียพลังงานได้สำเร็จโดยลดความหนาของวัสดุพิมพ์ลงเหลือ 1/3

วิธีหนึ่งในการลดการสูญเสียพลังงานในสารกึ่งตัวนำกำลังไฟฟ้าคือการลดระยะทางที่กระแสไฟฟ้าไหลผ่านโดยการสร้างแผ่นรองรับที่บางลง ซีรีส์นี้ใช้แผ่นรองรับ SiC (ซิลิคอนคาร์ไบด์) ที่มีความหนาลดลงประมาณหนึ่งในสามของซีรีส์ SiC-SBD รุ่นแรกทั่วไปของ FE พร้อมด้วยโครงสร้างชิปที่ปรับปรุงใหม่ ซึ่งสามารถลดการสูญเสียพลังงานในสภาวะคงตัวลงได้ถึง 16%* FE ประสบความสำเร็จในการเป็นหนึ่งในแผ่นรองรับที่บางที่สุดในอุตสาหกรรม ด้วยการนำเทคโนโลยีการประมวลผลที่เป็นกรรมสิทธิ์มาใช้ นอกจากนี้ยังช่วยเพิ่มความต้านทานต่อกระแสไฟฟ้าขนาดใหญ่ที่เกิดจากฟ้าผ่า มาตรการเหล่านี้มีส่วนช่วยในการประหยัดพลังงานและเพิ่มความน่าเชื่อถือของอุปกรณ์ที่ใช้ผลิตภัณฑ์นี้

3. ข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์

4. การสอบถามสินค้า

ฝ่ายขาย 1 ฝ่ายขาย กลุ่มธุรกิจเซมิคอนดักเตอร์ บริษัท ฟูจิ อิเล็คทริค จำกัด
☎+81-3-5435-7152

เว็บไซต์แคตตาล็อกสินค้า

หน้าแรก