ข่าวประชาสัมพันธ์

มีส่วนช่วยในการปรับปรุงระยะทางการขับขี่ของรถยนต์ไฟฟ้า การพัฒนาระบบโครงสร้างสายไฟสามมิติ (3D) เพื่อให้ได้โมดูลเซมิคอนดักเตอร์กำลัง SiC ที่มีขนาดเล็กลงและลดการสูญเสียพลังงาน

คาดว่ารถยนต์ไฟฟ้าจะแพร่หลายมากขึ้นในระยะกลางถึงระยะยาว เนื่องจากการเปลี่ยนแปลงไปสู่การลดการปล่อยคาร์บอน ระบบขับเคลื่อนเหล่านี้ประกอบด้วยมอเตอร์และอินเวอร์เตอร์ ซึ่งดึงพลังงานจากแบตเตอรี่เพื่อหมุนมอเตอร์ เพื่อเอาชนะความท้าทายในการเพิ่มระยะทางการขับขี่และขยายพื้นที่ภายในห้องโดยสาร จำเป็นต้องลดขนาดระบบขับเคลื่อนไฟฟ้าและปรับปรุงประสิทธิภาพให้ดียิ่งขึ้น
นอกจากนี้ ยังจำเป็นต้องย่อขนาดโมดูลสารกึ่งตัวนำกำลังที่ใช้ในอินเวอร์เตอร์ และปรับปรุงกำลังขับและประสิทธิภาพ ดังนั้นจึงมีแนวโน้มเพิ่มขึ้นในการนำ SiC-MOSFET มาใช้ ซึ่งช่วยลดการสูญเสียได้อย่างมากเมื่อเทียบกับแบบดั้งเดิม ในขณะเดียวกัน เพื่อให้ได้ประสิทธิภาพสูงสุดของ SiC จำเป็นต้องมีแพ็คเกจที่เล็กลงและการสูญเสียพลังงานต่ำลง แพ็คเกจจะเชื่อมต่อชิปกำลังไฟฟ้า สร้างวงจร แล้วห่อหุ้มด้วยเรซินเพื่อป้องกันการสั่นสะเทือนและฝุ่นละอองในอากาศ
โครงสร้างการเดินสายแบบ 3 มิติที่พัฒนาขึ้นใหม่ล่าสุดนี้ เป็นเทคโนโลยีการบรรจุภัณฑ์เพื่อลดขนาดและลดการสูญเสียพลังงาน โดยทั่วไปแล้ว จะใช้สายไฟและคลิปในการเชื่อมต่อชิปบนพื้นผิวฉนวน (แสดงด้วยเส้นสีแดงและสีน้ำเงินในรูปด้านล่าง) ในโครงสร้างใหม่นี้ การเดินสายได้ถูกแทนที่ด้วยแผ่นวงจรพิมพ์ ซึ่งเชื่อมต่อกันในสามมิติโดยใช้หมุดนำไฟฟ้าที่กดอัดเข้าไปในแผ่นวงจร ทำให้ปริมาตรของผลิตภัณฑ์ลดลงประมาณ 50% เมื่อเทียบกับผลิตภัณฑ์แบบเดิม
นอกจากนี้ การปรับปรุงเส้นทางกระแสไฟฟ้าด้วยโครงสร้างการเดินสายแบบ 3 มิติ ประสบความสำเร็จในการลดค่าความเหนี่ยวนำปรสิตของวงจรภายในลงได้ประมาณ 70% เมื่อเทียบกับผลิตภัณฑ์แบบเดิมของเรา และส่งผลให้การสูญเสียจากการสวิตช์ลดลงประมาณ 50%
นอกจากนี้ โครงสร้างที่ใช้การเดินสายด้วยหมุดนำไฟฟ้าสามารถลดพื้นที่ของจุดเชื่อมต่อชิปเมื่อเทียบกับแบบดั้งเดิม และการลดความเครียดจากการเปลี่ยนรูปทางความร้อนที่จุดเชื่อมต่อสามารถยืดอายุการใช้งานของจุดเชื่อมต่อได้ประมาณห้าเท่า
เทคโนโลยีนี้จะถูกนำไปใช้กับโมดูลเซมิคอนดักเตอร์กำลังไฟฟ้าในปีงบประมาณ 2026