Ra mắt Mô-đun IGBT công nghiệp công suất lớn dòng HPnC để mở rộng việc sử dụng năng lượng tái tạo
Ra mắt Mô-đun IGBT công nghiệp công suất lớn dòng HPnC để mở rộng việc sử dụng năng lượng tái tạo
（PDF(129KB)）
Ngày 5 tháng 4 năm 2024
Công ty TNHH Điện tử Fuji
Fuji Electric Co., Ltd. (FE) vui mừng thông báo ra mắt Dòng HPnC, một dòng mô-đun IGBT* công nghiệp công suất lớn mới dành cho các ứng dụng bao gồm bộ chuyển đổi nguồn cho hệ thống phát điện năng lượng mặt trời và năng lượng gió.
-
* Transistor lưỡng cực cổng cách điện
-
1. Bối cảnh
Để đạt được một xã hội không phát thải carbon, cần phải mở rộng hơn nữa việc sử dụng các nguồn năng lượng tái tạo như năng lượng mặt trời và năng lượng gió, và việc giảm chi phí phát điện đã trở thành một vấn đề. Các mô-đun IGBT được lắp đặt trong các bộ chuyển đổi điện như bộ biến tần và hệ thống điều hòa điện (PCS) và chúng đóng vai trò thay đổi tần số và điện áp bằng cách bật và tắt điện.
FE có kế hoạch phát hành các mô-đun IGBT* công nghiệp công suất lớn HPnC Series cho các ứng dụng bao gồm PCS thực hiện chuyển đổi năng lượng trong các hệ thống phát điện năng lượng mặt trời và bộ chuyển đổi năng lượng cho các hệ thống phát điện năng lượng gió. Với dòng điện và điện áp định mức tăng lên, các sản phẩm này cải thiện công suất và giảm kích thước tổng thể của các bộ chuyển đổi năng lượng mà chúng được lắp đặt, do đó góp phần giảm chi phí phát điện.
2. Tính năng
-
-
(1) Nâng cao công suất bộ biến đổi điện năng, góp phần giảm số lượng máy lắp đặt, mở rộng diện tích lắp đặt tấm pin mặt trời
Ngoài việc sử dụng chip IGBT thế hệ mới nhất, bố trí đầu cuối bên trong và bố trí chip của mô-đun đã được tối ưu hóa và vật liệu tản nhiệt cao đã được áp dụng để tăng mật độ dòng điện trên một đơn vị diện tích, do đó đạt được dòng điện định mức hàng đầu trong ngành là 1800 A (tăng khoảng 80% so với các sản phẩm trước đây của công ty) trong khi vẫn duy trì kích thước của mô-đun. Số lượng bộ chuyển đổi điện được lắp đặt có thể được giảm bằng cách cải thiện công suất trên một đơn vị. Trong sản xuất điện mặt trời, chúng cũng có thể được sử dụng để mở rộng diện tích lắp đặt tấm pin mặt trời. Những tính năng này góp phần cải thiện hiệu suất phát điện và giảm chi phí phát điện.
-
-
(2) Sản phẩm điện áp đánh thủng 2300 V hỗ trợ 1500 VDC, góp phần giảm số lượng linh kiện trong bộ chuyển đổi nguồn
Bộ chuyển đổi điện đang được nâng cấp để hỗ trợ điện áp cao hơn (1500 VDC) nhằm cải thiện hiệu suất chuyển đổi điện và kết nối với các hệ thống phát điện quy mô lớn. Điện áp định mức cần thiết cho một mô-đun IGBT được lắp đặt trên bộ chuyển đổi điện 1500 VDC là 2000 V trở lên. Để đáp ứng điều này, nói chung, hai mô-đun IGBT có điện áp định mức là 1200 V hoặc 1700 V được kết nối nối tiếp. FE đã tối ưu hóa cấu trúc điện áp đánh thủng của chip IGBT và chip FWD* và hiện cung cấp một loạt các mô-đun IGBT có điện áp định mức là 2300 V.
Một mô-đun có thể hỗ trợ bộ chuyển đổi nguồn 1500 VDC, giúp giảm số lượng mô-đun IGBT được lắp đặt và các thành phần khác như hệ thống dây điện trong mạch ngoại vi, cho phép giảm diện tích bộ chuyển đổi nguồn. Điều này góp phần giảm chi phí phát điện.
* Điốt quay tự do
3. Thông số kỹ thuật sản phẩm
4. Lịch trình ra mắt
-
-
June 2024
5. Yêu cầu sản phẩm
-
-
Phòng kinh doanh I, Bộ phận kinh doanh, Nhóm kinh doanh chất bán dẫn, Công ty TNHH Fuji Electric
☎ +81-3-5435-7152
[Trang web sản phẩm]
https://www.fujielectric.com/products/semiconductors_devices/semiconductor/product_series/model_power_modules_igbt_2pack.html
-
-
*Thông tin có trong bản phát hành này (tính năng sản phẩm, thông tin yêu cầu, giá cả, v.v.) là chính xác tính đến ngày thông báo này. Thông tin này có thể thay đổi mà không cần thông báo trước.
