Chia sẻ
Bản tin phát hành
Ra mắt dòng sản phẩm thế hệ thứ 2 Discrete SiC-SBD, góp phần tiết kiệm năng lượng cho các trung tâm dữ liệu và trạm gốc truyền thông
Ngày 15 tháng 11 năm 2021
Công ty TNHH Điện lực Fuji
Công ty TNHH Fuji Electric (có trụ sở chính tại Tokyo, Nhật Bản; do Chủ tịch Michihiro Kitazawa lãnh đạo) vui mừng thông báo ra mắt Dòng sản phẩm bán dẫn điện rời SiC-SBD* thế hệ thứ 2, góp phần tiết kiệm năng lượng tại các trung tâm dữ liệu và trạm gốc truyền thông.
-
*
-
Điốt chắn Schottky
1. Bối cảnh
Lưu lượng mạng đã tăng lên nhờ chuyển đổi số (DX), sự gia tăng của làm việc từ xa và việc sử dụng rộng rãi các dịch vụ Internet. Điều này đã thúc đẩy đầu tư vốn vào các trung tâm dữ liệu và trạm gốc truyền thông. Do đó, nhu cầu về thiết bị cung cấp điện cũng đang tăng lên và thị trường này dự kiến sẽ tăng từ 300 tỷ yên hiện tại lên 450 tỷ yên vào năm tài chính 2028.*
Vì các trung tâm dữ liệu và trạm gốc truyền thông cần một lượng lớn điện năng DC để vận hành cơ sở nên thiết bị cung cấp điện của chúng được trang bị các chất bán dẫn công suất (điốt) có khả năng chuyển đổi (chỉnh lưu) hiệu quả nguồn điện xoay chiều nhận được từ các công ty tiện ích thành nguồn điện một chiều.
SiC-SBD rời rạc thế hệ thứ 2
(Từ trái sang: TO-220-2, TO-220F-2 và TO-247-2)
(Từ trái sang: TO-220-2, TO-220F-2 và TO-247-2)
Chất bán dẫn công suất bị tổn thất công suất (tổn thất trạng thái ổn định) khi được cấp điện. FE đã phát triển và ra mắt dòng sản phẩm SiC-SBD rời rạc thế hệ thứ 2 dành cho thiết bị cấp nguồn của trung tâm dữ liệu và trạm gốc truyền thông, góp phần tiết kiệm năng lượng bằng cách giảm tổn thất trạng thái ổn định trong mạch điện tử.
FE sẽ góp phần vào việc đạt được một xã hội không phát thải carbon bằng cách triển khai chuỗi sản phẩm này trên toàn cầu để tiết kiệm năng lượng cho thiết bị.
-
*
-
Ước tính của FE dựa trên dữ liệu IHS
2. Tính năng sản phẩm
Đã giảm thành công tổn thất điện năng bằng cách giảm độ dày của lớp nền xuống còn 1/3
Một cách để giảm tổn thất điện năng trong chất bán dẫn công suất là giảm khoảng cách dòng điện chạy qua bằng cách chế tạo một phần tử nền mỏng hơn. Dòng sản phẩm này sử dụng nền SiC (silicon carbide) với độ dày giảm khoảng một phần ba so với dòng SiC-SBD thế hệ đầu tiên thông thường của FE, cùng với cấu trúc chip được cải tiến, giúp giảm tổn thất trạng thái ổn định xuống 16%.* FE đã tạo ra một trong những nền mỏng nhất trong ngành nhờ áp dụng công nghệ xử lý độc quyền. Sản phẩm cũng cải thiện khả năng chống dòng điện lớn do sét gây ra. Những biện pháp này góp phần tiết kiệm năng lượng và nâng cao độ tin cậy của thiết bị sử dụng sản phẩm.
-
*
-
Sản phẩm có điện áp định mức 650 V
3. Thông số kỹ thuật sản phẩm
-
*
-
Hiện đang được phát triển (dự kiến ra mắt vào tháng 1 năm 2022)
4. Yêu cầu sản phẩm
Phòng kinh doanh I, Bộ phận kinh doanh, Nhóm kinh doanh chất bán dẫn, Công ty TNHH Fuji Electric
☎+81-3-5435-7152
Trang web danh mục sản phẩm
-
*
-
Thông tin trong bản thông cáo này (tính năng sản phẩm, thông tin yêu cầu, giá cả, v.v.) là chính xác tính đến ngày công bố. Thông tin này có thể thay đổi mà không cần thông báo trước.
