Bản tin phát hành
Ra mắt dòng sản phẩm Super J-MOS
Ngày 22 tháng 12 năm 2011
Công ty TNHH Điện tử Fuji
Fuji Electric Co., Ltd., hôm nay thông báo ra mắt dòng sản phẩm Super J-MOS có điện trở thấp hàng đầu trong ngành.
1. Mục tiêu
Trong bối cảnh mối quan ngại ngày càng gia tăng về môi trường toàn cầu, các sáng kiến trở nên thân thiện hơn với môi trường trong các lĩnh vực CNTT và năng lượng mới, cùng với những lĩnh vực khác, đang tập trung sự chú ý vào các chất bán dẫn công suất có khả năng chuyển đổi công suất hiệu quả. Trong bối cảnh này, nhu cầu về MOSFET (transistor hiệu ứng trường kim loại-ôxít-bán dẫn)—thiết bị chính được sử dụng để chuyển đổi công suất trong chất bán dẫn—có khả năng cải thiện hiệu suất năng lượng ở mức độ lớn hơn so với trước đây. Để ứng phó, Fuji Electric đang phát hành dòng Super J-MOS có cấu trúc siêu tiếp giáp (SJ) mới được phát triển*, đạt hiệu suất điện trở thấp và giảm đáng kể tổn thất năng lượng.
Với việc ra mắt dòng sản phẩm mới, Fuji Electric mong muốn đóng góp vào việc hiện thực hóa một xã hội ít carbon bằng cách cải thiện hiệu suất chuyển đổi điện năng và giảm mức tiêu thụ điện năng của thiết bị.
2. Tính năng
Giảm 70%* 2 điện trở khi bật, do đó đạt được hiệu suất hàng đầu trong ngành về mức tổn thất điện năng thấp
Công nghệ giảm tổn thất chuyển mạch mới nhất, cho phép giảm 14%* 2 tổng tổn thất từ thiết bị
3. Thông số kỹ thuật (cho các mẫu đại diện)
4. Ứng dụng chính
Thiết bị thông tin và truyền thông bao gồm máy chủ internet, hệ thống cung cấp điện liên tục và thiết bị phát sóng
Bộ điều hòa năng lượng quang điện và các thiết bị chuyển đổi năng lượng khác cho lĩnh vực năng lượng mới
-
Notes:
-
-
*1
-
Một lợi thế của cấu trúc SJ là khả năng giảm đáng kể giá trị điện trở bằng cách tăng nồng độ tạp chất của các vùng loại N. Điều này đạt được thông qua việc thay thế lớp trôi của MOSFET thông thường bằng một loạt các vùng loại P và loại N xen kẽ. Trong cấu trúc máy bào của MOSFET thông thường, việc giữ điện trở bật dưới một giá trị không đổi là không thể, vì điện áp đánh thủng được duy trì bằng cách mở rộng vùng cách điện (lớp cạn kiệt) trong lớp loại N có điện trở cao. Ngược lại, mặc dù cấu trúc SJ làm giảm điện trở của lớp loại N, điện áp đánh thủng vẫn được duy trì, vì việc chế tạo các vùng loại P trong các vùng loại N cho phép lớp cạn kiệt được mở rộng không chỉ theo hướng dọc mà còn theo hướng ngang. Theo cách này, cấu trúc SJ hiện thực hóa điện trở bật thấp ở mức độ lớn hơn so với các hạn chế lý thuyết của cấu trúc máy bào thông thường.
-
*2
-
So sánh với các sản phẩm Fuji Electric trước đây
Tài liệu tham khảo: cấu trúc SJ MOSFET

Sản phẩm trong dòng Super J-MOS

Yêu cầu sản phẩm
Phòng kinh doanh I, Bộ phận kinh doanh III, Nhóm điện tử công suất, Trụ sở kinh doanh,
Công ty TNHH Điện tử Fuji
Điện thoại: 81-3-5435-7256