Kongsi

Twitter
Facebook
LinkedIn

Siaran Berita
Pelancaran Siri SiC-SBD Diskret Generasi Kedua, Menyumbang kepada Penjimatan Tenaga untuk Pusat Data dan Stesen Pangkalan Komunikasi

15 November 2021
Fuji Electric Co., Ltd.

Fuji Electric Co., Ltd. (beribu pejabat di Tokyo, Jepun; diketuai oleh Presiden Michihiro Kitazawa) dengan sukacitanya mengumumkan pelancaran siri diskret SiC-SBD* generasi ke-2 bagi separa konduktor kuasa, yang akan menyumbang kepada penjimatan tenaga di pusat data dan stesen pangkalan komunikasi.

*

Diod Penghalang Schottky

1. Latar belakang

Trafik rangkaian telah meningkat disebabkan oleh transformasi digital (DX), peningkatan dalam kerja jauh dan penggunaan perkhidmatan Internet yang diperluaskan. Ini telah mempercepatkan pelaburan modal dalam pusat data dan stesen pangkalan komunikasi. Akibatnya, permintaan untuk peralatan bekalan kuasa juga meningkat dan pasarannya dijangka berkembang daripada 300 bilion yen semasa kepada 450 bilion yen pada TK2028.*

Oleh kerana pusat data dan stesen pangkalan komunikasi memerlukan sejumlah besar kuasa DC untuk operasi kemudahan, peralatan bekalan kuasa mereka dilengkapi dengan semikonduktor kuasa (diod) yang cekap menukar (membetulkan) kuasa AC yang diterima daripada syarikat utiliti kepada kuasa DC.

2nd-generation discrete SiC-SBDs(From left: TO-220-2, TO-220F-2, and TO-247-2)
SiC-SBD diskret generasi ke-2
(Dari kiri: TO-220-2,TO-220F-2 dan TO-247-2)

Semikonduktor kuasa mengalami kehilangan kuasa (kehilangan keadaan mantap) apabila kuasa dibekalkan. FE telah membangunkan dan melancarkan Siri SiC-SBD diskret generasi ke-2 untuk peralatan bekalan kuasa pusat data dan stesen pangkalan komunikasi, dan ia akan menyumbang kepada penjimatan tenaga dengan mengurangkan kehilangan keadaan mantap dalam litar elektronik.

FusionExcel akan menyumbang kepada pencapaian masyarakat ternyahkarbon dengan melancarkan siri ini secara global untuk mencapai penjimatan tenaga bagi peralatan.

*

Dianggarkan oleh FE berdasarkan data IHS

2. Ciri-ciri Produk

Berjaya menurunkan kehilangan kuasa dengan mengurangkan ketebalan substrat kepada 1/3

Satu cara untuk mengurangkan kehilangan kuasa dalam semikonduktor kuasa adalah untuk mengurangkan jarak aliran elektrik dengan membuat elemen substrat yang lebih nipis. Siri ini menggunakan substrat SiC (silikon karbida) dengan ketebalan berkurangan kira-kira satu pertiga daripada Siri SiC-SBD generasi pertama FE konvensional serta struktur cip yang diubah suai, yang telah berjaya mengurangkan kehilangan keadaan mantap sebanyak 16%.* FE telah mencapai salah satu substrat tertipis industri dengan menggunakan teknologi pemprosesan proprietarinya. Ia juga telah meningkatkan rintangan kepada arus besar yang disebabkan oleh kilat. Langkah-langkah ini menyumbang kepada penjimatan tenaga dan kebolehpercayaan yang lebih baik bagi peralatan yang menggunakan produk ini.

*

Produk dengan voltan terkadar 650 V

3. Spesifikasi Produk

　　　　
Model No. Voltan berkadar (V) Arus berkadar (A) Voltan ke hadapan (V) Arus lonjakan ke hadapan(A) Pakej
FDC2PT06S65* 650 6 1.3 54 KE-220-2
FDC2PT08S65 650 8 1.3 68 KE-220-2
FDC2PT10S65 650 10 1.3 82 KE-220-2
FDC2AT06S65 650 6 1.3 54 TO-220F-2
FDC2AT08S65 650 8 1.3 68 TO-220F-2
FDC2AT10S65 650 10 1.3 82 TO-220F-2
FDC2WT20S120 1,200 20 1.57 190 KE-247-2
FDC2WT40S120* 1,200 40 1.57 305 KE-247-2

*

Sedang dalam pembangunan (untuk pelancaran pada Januari 2022)

4. Pertanyaan Produk

Jabatan Jualan I, Bahagian Jualan, Kumpulan Perniagaan Semikonduktor, Fuji Electric Co., Ltd.
☎+81-3-5435-7152

Laman Web Katalog Produk

*

Maklumat yang terkandung dalam keluaran ini (ciri produk, maklumat pertanyaan, harga, dll.) adalah tepat pada tarikh pengumuman ini. Maklumat ini tertakluk kepada perubahan tanpa notis terlebih dahulu.

Hubungi Kami