Siaran Berita

Menyumbang kepada Peningkatan Jarak Pemanduan Kenderaan Elektrik. Membangunkan Struktur Pendawaian Tiga Dimensi (3D) untuk Mencapai Pengecilan dan Kehilangan Kuasa yang Lebih Rendah dalam Modul Semikonduktor Kuasa SiC

Kenderaan elektrik dijangka akan menjadi lebih meluas dengan peralihan jangka sederhana hingga panjang kepada penyahkarbonan. Rangkaian kuasa tersebut terdiri daripada motor dan penyongsang, yang menggunakan kuasa daripada bateri untuk memutarkan motor. Bagi mengatasi cabaran menambah baik jarak pemanduan dan meluaskan ruang dalaman, rangkaian kuasa elektrik perlu dikecilkan dan dipertingkatkan prestasinya.
Ia juga perlu untuk mengecilkan modul semikonduktor kuasa yang digunakan pada penyongsang dan untuk meningkatkan output dan kecekapan. Oleh itu, terdapat trend yang semakin meningkat untuk menerima pakai SiC-MOSFET, yang mengurangkan kerugian dengan ketara berbanding dengan yang konvensional. Sementara itu, untuk memaksimumkan prestasi SiC, pakej yang lebih kecil dan kehilangan kuasa yang lebih rendah diperlukan. Pakej tersebut menyambungkan cip kuasa secara elektrik, membentuk litar, dan kemudian merangkumnya dengan resin untuk melindunginya daripada getaran dan habuk di udara.
Struktur pendawaian 3D yang baru dibangunkan merupakan teknologi pembungkusan untuk pengecilan saiz dan mengurangkan kehilangan kuasa. Secara konvensional, wayar dan klip digunakan untuk menyambungkan cip pada substrat bertebat (digariskan dalam warna merah dan biru dalam rajah di bawah). Dalam struktur baharu, pendawaian telah digantikan dengan papan litar bercetak, yang disambungkan dalam tiga dimensi dengan menggunakan pin konduktif yang dipasang pada papan. Ini telah mengurangkan isipadu produk sebanyak kira-kira 50% berbanding produk konvensional.
Di samping itu, pengoptimuman laluan arus melalui struktur pendawaian 3D telah berjaya mengurangkan induktans parasit litar dalaman, kira-kira 70% kurang daripada produk konvensional kami, dan membawa kepada pengurangan kira-kira 50% dalam kehilangan pensuisan.
Tambahan pula, struktur melalui pendawaian dengan pin konduktif dapat mengurangkan luas sambungan cip berbanding sambungan konvensional, dan melegakan ketegangan akibat ubah bentuk haba pada sambungannya dapat meningkatkan jangka hayat sambungan kira-kira lima kali ganda.
Teknologi ini akan digunakan pada modul semikonduktor kuasanya pada TK2026.