Kongsi
Siaran Berita
Keluaran Siri Super J-MOS
22 Disember 2011
Fuji Electric Co., Ltd.
Fuji Electric Co., Ltd., hari ini mengumumkan keluaran siri Super J-MOS dengan rintangan rendah yang terkemuka dalam industri.
1. Objektif
Di tengah-tengah kebimbangan yang semakin meningkat terhadap persekitaran global, inisiatif untuk menjadi lebih mesra alam dalam bidang IT dan tenaga baharu, antara lain, menumpukan perhatian kepada semikonduktor kuasa dengan penukaran kuasa yang cekap. Dalam konteks ini, permintaan wujud untuk MOSFET (transistor kesan medan logam-oksida-semikonduktor)—peranti utama yang digunakan untuk penukaran kuasa dalam semikonduktor—yang meningkatkan kecekapan tenaga ke tahap yang lebih besar berbanding dahulu. Sebagai tindak balas, Fuji Electric mengeluarkan siri Super J-MOS yang menampilkan struktur superjunction (SJ) yang baru dibangunkan,* yang mencapai prestasi pada rintangan yang rendah dan mengurangkan kehilangan tenaga dengan ketara.
Dengan keluaran siri baharu, Fuji Electric berhasrat untuk menyumbang kepada merealisasikan masyarakat rendah karbon dengan meningkatkan kecekapan penukaran kuasa dan mengurangkan penggunaan kuasa dalam peralatan.
2. Ciri-ciri
Pengurangan 70%* 2 dalam rintangan, dengan itu mencapai prestasi peneraju industri dalam kehilangan kuasa yang rendah
Teknologi pengurangan kehilangan pensuisan terkini, membolehkan pengurangan sebanyak 14%* 2 dalam jumlah kerugian daripada peranti
3. Spesifikasi (untuk model perwakilan)
4. Aplikasi utama
Peralatan maklumat dan komunikasi termasuk pelayan internet, sistem bekalan kuasa tidak terganggu dan peralatan penyiaran
Perapi kuasa fotovoltaik dan peralatan penukaran kuasa lain untuk medan tenaga baharu
-
Notes:
-
-
*1
-
Kelebihan struktur SJ ialah keupayaannya untuk mengurangkan nilai rintangan dengan ketara dengan meningkatkan kepekatan kekotoran kawasan jenis N. Ini dicapai dengan menggantikan lapisan hanyut MOSFET konvensional dengan siri kawasan jenis P dan jenis N yang berselang-seli. Dalam struktur planer MOSFET konvensional, mengekalkan rintangan-on di bawah nilai malar adalah tidak mungkin, kerana voltan kerosakan dikekalkan dengan cara memanjangkan kawasan terlindung elektrik (lapisan penyusutan) dalam lapisan jenis-N rintangan tinggi. Sebaliknya, walaupun struktur SJ mengurangkan rintangan lapisan jenis N, voltan pecahan dikekalkan, kerana fabrikasi kawasan jenis P dalam kawasan jenis N membolehkan lapisan penyusutan dilanjutkan bukan sahaja dalam arah memanjang tetapi juga dalam arah lebar. Dengan cara ini, struktur SJ menyedari rintangan pada yang rendah pada tahap yang lebih besar daripada batasan teori struktur planer konvensional.
-
*2
-
Berbanding produk Fuji Electric sebelum ini
Rujukan: struktur SJ MOSFET
Produk dalam siri Super J-MOS
Pertanyaan produk
Jabatan Jualan I, Bahagian Jualan III, Kumpulan Power Electronics, Ibu Pejabat Jualan,
Fuji Electric Co., Ltd.
Telefon: 81-3-5435-7256
